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面试基本电子欧宝娱乐可靠吗学问题

欧宝娱乐可靠吗电子工程专业的学生需要面对一些基本的电子学问题,无论他们是在准备面试还是在现场。所以,这篇文章给你一些面试和其他竞争性考试的基本电子学问题。

一般来说,你需要参考各种各样的书籍,以涵盖电子领域的大量主题。为了方便大家,我从不同的主题中收集了一些基本的电子学问题,并将它们组织成不同的部分。欧宝娱乐可靠吗

起初,我将主要集中在多项选择题上,将来我将添加解释和一些简短的回答题。

基本介绍的问题

1.什么是理想的电压源?
答:内阻为零的器件。

2.什么是理想的电流源?
答:具有无限内阻的装置。

3.什么是实用的电压源?
答:内阻小的装置。

4.什么是实用的电流源?
答:具有大内阻的装置。

5.理想电压源输出的电压为
答:0
B常数
C.负载电阻相关
D.内阻相关
答:B

6.理想电流源输出的电流为
答:0
B常数
C.负载电阻相关
D.内阻相关
答:B

7.两个点之间可以传输电流的路径称为
答:一个网络
B接力赛
c电路
d .循环
答:C

8.根据欧姆定律的电流公式为
A.电压/电阻
B电阻*电压
C电压+电阻
D电阻/电压
答:一个

9.电阻单位为
答:伏
b .音箱
c .欧姆
d .库仑
答:C

10.在恒压直流电路中,当电阻增大时,电流就会增大
A.减少
b .停止
c .增加
d .保持不变
答:一个

基本半导体理论

1.硅原子中的价电子数为
答:1
b . 4
c . 8
D16
答:B

2.最常用的半导体元件是
A.硅
b .锗
c .镓
D碳素
答:一个

铜是一种金属
答:绝缘子
b .导体
c .半导体
D超级导体
答:B

硅原子核中的质子数为
答:4
b . 14
C29
D32
答:B

导体的价电子也称为
答:束缚电子
b .自由电子
C核
d .质子
答:B

6.本征半导体在室温下具有
A.几个自由电子和空穴
B许多洞
C许多自由电子
D没有洞
答:一个

7.在室温下,本征半导体由于
A.兴奋剂
B自由电子
C热能
d .价电子
答:C

8.本征半导体中的空穴数为
A.等于自由电子的数量
B大于自由电子的数目
C少于自由电子的数目
D.以上都不是
答:一个

9.洞作为
答:原子
b .晶体
C负电荷
d .正电荷
答:D

10.选组里的奇数
A.导体
B半导体
C.四个价电子
D晶体结构
答:一个

11.要生产P型半导体,您需要添加
答:三价杂质
b .碳
c .五价的杂质
d .硅
答:一个

12.电子是宇宙中的少数载流子
A.非本征半导体
Bp型半导体
c .本征半导体
d . n型半导体
答:D

13.一种p型半导体包含
A.空穴和负离子
B空穴和正离子
空穴和五价原子
D空穴和施主原子
答:一个

14.五价原子有多少电子?
答:1
b . 3
c . 4
d . 5
答:D

15.负离子是
A.获得质子的原子
B.失去质子的原子
得到电子的原子
D失去电子的原子
答:C

16.在势垒两侧的PN结中电离的结果是什么?
A.势垒电压
B交叉路口
c .耗尽区
d .正向电压
答:C

17.耗尽区的原因是__________
A.扩散
B离子
c .掺杂
d .正向电压
答:一个

18.下列哪一个是半导体?
A.氩
b .碳
c .云母
d .陶瓷
答:B

19.掺杂材料如下
A.n型半导体
b大部分航空公司
C非本征半导体材料
d .五价的材料
答:D

20.我们可以很容易地激活少数载体使用
A.正向电压
b .掺杂
c .热
D压力
答:C

半导体二极管基本问题

1.损耗层是由
A.兴奋剂
b复合
c .潜在障碍
D离子
答:B

2.在二极管中反向电流通常是
A.非常小
b非常大
c . 0
D.在击穿区域
答:一个

3.二极管的雪崩发生在
A.势垒电位
b .耗尽层
c .膝盖电压
D击穿电压
答:D

4.硅二极管的势垒是
A.0.3伏
b . 0.7 V
C1 V
D5伏
答:B

5.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流大
答:平等
b .更高
C降低
D取决于温度
答:C

6.二极管是一个
答:双边设备
b .非线性设备
c .线性设备
d .单相设备
答:C

7.二极管电流大的条件是什么
答:正向偏压
b .逆偏见
c .可怜的偏见
D反向偏压
答:一个

8.桥式整流器的输出电压信号为
答:半波
B全波
C桥式整流信号
d .正弦波
答:B

9.如果桥式整流器中二极管的最大直流额定电流为1A,最大直流负载电流是多少?
答:1
2 b。
4 c。
8 d。
答:B

10.电压倍增器产生
A.低电压低电流
B低压大电流
C.高电压低电流
D.高电压高电流
答:C

11.什么是快船?
答:一种消除波形的一部分(正极或负极)以使其不超过一定电压水平的电路。

12.什么是夹持器?
答:将直流电压(正极或负极)加到波上的电路。

13.齐纳二极管可描述为
A.整流二极管。
一种恒压装置。
C.恒流装置。
D在正向区域工作的装置。
答:B

14.如果齐纳二极管的极性连接错误,则负载两端的电压为
答:0.7 V
b . 10 V
c . 14 V
D18 V
答:一个

15.由于二极管只允许一个方向的电流流动,所以它们可以用于
A.限流
B.反极性保护
C存储费用
D电压调节
答:B

16.当你用万用表测试一个好的二极管时,它会显示出来
正向偏置或反向偏置时电阻低
正向偏置或反向偏置时电阻高
正向偏置时电阻高,反向偏置时电阻低
D正向偏置时的低电阻和反向偏置时的高电阻
答:D

17.PN结中的电流何时流动?
A. p型和n型元素电位相同时
B当p型或n型元件均无电势时
C. p型元素比n型元素处于更大的正电位时
D当n型元素的正电势大于n型元素时
答:C

18.钳位电路通常用于
A.电视发射机和接收器
b . FM发射器
C.信号发生器(方形、梯形等)
D所有这些
答:D

19.二极管正向偏压和反向电流的测量单位为
A.µA和µA
【答案】A
C. A
D马和马
答:B

20.什么图形方法用于建模二极管特性
答:指数法
B.小信号近似
c .迭代法
D恒压降法
答:一个

晶体管的基本问题

1.晶体管PN结的数目
A.一个
B两个
c .三
D四
答:B

2.NPN晶体管中Base的掺杂浓度为
答:轻掺杂
b .适度掺杂
c .重掺杂
D未掺杂
答:一个

3.在NPN晶体管中基极发射极二极管(基极发射极结)是
A.没有行为
b .正向偏压
C反向偏置
D在细分区域运营
答:B

4.基极、发射极和集电极的尺寸比较如下
A.基底>集电极>发射极
B发射器>收集器>基极
C.集电极>发射极>基极
D人人平等
答:C

5.基极-集电极二极管(基极-集电极结)通常为
A.反向偏置
b .正向偏压
C击穿区
d .没有传导
答:一个

6.晶体管的直流电流增益为
发射极电流与集电极电流之比
B.基极电流与发射极电流之比
C集电极电流与基极电流之比
D基极电流与集电极电流之比
答:C

7.如果基极电流为100µA,电流增益为100,则集电极电流为
答:1
B10A
c . 1马
d . 10马
答:D

8.NPN和PNP晶体管的主要载流子是
A.空穴和电子
B.电子和空穴
C.受体离子和给体离子
d .没有
答:B

9.晶体管的作用是充当
A.电压源和电流源
B电流源和电阻器
C二极管和电流源
二极管和电源
答:C

10.基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系为
ie = ib + IC
B. ib = IC + ie
CIE=IB–IC
故答案为d
答:一个

11.晶体管耗散的总功率是集电极电流和电流的乘积
答:电源电压
B0.7V
C集电极-发射极电压
基极-发射极电压
答:C

12.共射极配置的输入阻抗为
答:低
B高
c . 0
d .很高
答:一个

13.公共发射极配置的输出阻抗为
答:低
b非常低
c .高
d . 0
答:C

14.提供了两种类型的双极结晶体管(BJT)
A.nnn和ppp
B. npn和pnp
Cpnn和npp
D. nnp和ppn
答:B

15.BJT的常见故障有哪些?
答:内部短
B.开路偏压电阻
C.外部开放和
D. nnp和ppn
答:B

16.数字电路中晶体管的通常工作区域为
答:活跃的地区
B线性区域
C击穿区
D.截止和饱和区域
答:D

17.发射器跟随器配置的另一个名称是
A.共基极放大器
B共发射极放大器
C.共集电极放大器
d·达林顿对
答:C

18.BJT是_________,FET是________
A.双极和单极
B.双极和双极
C单极和单极
D.单极和双极
答:一个

19.公共基极配置中的电流增益(α)为
A.基极电流与发射极电流之比(IB/IE)
B.集电极电流与发射极电流之比(IC/IE)
C.集电极电流与基极电流之比(IC/IB)
d .没有
答:B

20.α与ß的关系为
A. α = ß / (ß + 1)
ß = α / (1 - α)
C. α = ß * (ß + 1)
D. α = ß / (ß - 1)
答:A和B都有