不同的晶体管配置

在该晶体管教程中,我们将了解晶体管的不同配置。欧宝官网app苹果下载ob直播app由于双极连接晶体管是3端子装置,因此BJTS存在三种不同的晶体管配置。了解这些不同的晶体管配置将帮助您更好地实现您的应用程序。

介绍

我们知道,通常晶体管具有三个端子 - 发射极(e),底座(B)和收集器。但在电路连接中,我们需要四个终端,两个用于输入的终端和另外两个终端用于输出。为了克服这些问题,我们将一个终端与输入和输出操作一样常见。

使用此属性我们构造电路,这些结构称为晶体管配置。通常,晶体管的三种不同的配置,它们是公共基础(CB)配置,公共集电器(CC)配置和公共发射器(CE)配置。

下面给出了这三种不同晶体管的晶体管的行为。

  • 公共基础(CB)配置:没有电流增益,只有电压增益
  • 普通采集器配置:电流增益但没有电压增益
  • 常见的发射器(CE)配置:电流增益和电压增益

下面我们将讨论这三种不同配置的欧宝官网app苹果下载晶体管及其输入和输出特性。

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公共基本配置

1.共同的基本符号和连接

在此配置中,我们使用基站作为输入和输出信号。配置名称本身表示公共终端。这里,在基座和发射极端子之间施加输入,并且在基座和收集器端子之间采用相应的输出信号,基站接地。这里输入参数是vEB.和我E并且输出参数是vCB和我C.流入发射极终端的输入电流必须高于基电流和集电极电流以操作晶体管,因此输出集电极电流小于输入发射极电流。

对于这种配置,电流增益一般等于或小于单位。在这种配置中,输入和输出信号是同相的。这种类型的放大电路结构称为非反相放大电路。这种配置电路的构造是困难的,因为这种类型具有高电压增益值。

该配置的输入特性看起来像照明光电二极管的特性,而输出特性表示正向偏置二极管。该晶体管配置具有高输出阻抗和低输入阻抗。这种类型的配置具有高电阻增益,即输出电阻与输入电阻的比率高。下面给出电路的电压增益。

一个V= V.出去/ V=(我C* R.l) / (一世E* R.

共基配置下的电流增益为

α=输出电流/输入电流

α=我C/我E

普通基极电路主要用于单级放大电路,如麦克风前置放大器或射频放大器,因为它们具有较高的频率响应。共基极晶体管电路如下图所示。

2.共基极晶体管电路

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输入特性

输入电流与输入电压之间获得输入特性,具有恒定的输出电压。首先保持输出电压VCB输入电压VEB.然后在每个点记录输入电流IE价值。在不同的输出电压电平重复相同的过程。现在有这些值,我们需要绘制我之间的图形E和V.EB.参数。下图显示了公共基配置的输入特性。计算输入电阻R的公式价值如下。

R= V.EB./ 一世E(当VCB是常数)

3.公共基础配置的输入特性

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输出特性

在输入电流不变的情况下,得到了输出电流与输出电压之间的共基极结构的输出特性。首先保持发射极电流恒定,并改变电压CB值,现在记录IC每个点的值。在不同的i中重复相同的过程E值。最后我们需要画出V之间的图CB和我C在常量I.E。下图显示了公共基础配置的输出特性。下面给出了计算输出电阻值的等式。

R出去= V.CB/ 一世C(当我E是常数)

4.公共基本配置的输出特性

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常见的收集器配置

5.常见收集器符号和连接

在此配置中,我们将收集器终端与输入和输出信号一样常见。这种配置也称为发射器跟随器配置,因为发射极电压遵循基极电压。此配置主要用作缓冲区。由于其高输入阻抗,这些配置广泛用于阻抗匹配应用。

在这种配置中,输入信号应用于基极-集电极区域之间,输出信号取自发射极-集电极区域。这里输入参数是VBC和IB,输出参数是VEC和IE。公共集电极配置具有高输入阻抗和低输出阻抗。输入信号和输出信号相位一致。这里发射极电流也等于集电极电流和基极电流之和。现在让我们计算这个配置的当前增益。

电流增益,

一个=输出电流/输入电流

一个= I.E/我B

一个=(我C+ I.B) /我B

一个=(我C/我B)+ 1

一个= β + 1

6.公共集电极晶体管电路

公共集电极晶体管电路如上所示。该公共集电器配置是非反相放大器电路。该电路的电压增益小于团结,但由于该电路中的负载电阻接收集电极和基极电流,因此具有大的电流增益。

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输入特性

7.公共收集器配置的输入特性

公共收集器配置的输入特性与公共基础和公共发射器配置非常不同,因为输入电压V公元前很大程度上是由VEC.的水平。在这里,

VEC.= V.EB.+ V.公元前

VEB.= V.EC.- - - - - - V公元前

共集电极配置的输入特性在输入电流I之间得到B和输入电压VCB输出电压VEC..保持输出电压VEC.并改变输入电压V公元前为不同的点,并记录IB每个点的值。现在用这些值我们需要画出V的参数之间的图公元前和我B在恒定的V.EC.

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输出特性

公共集电路电路的操作与公共发射极电路相同。在输出电压V之间获得公共集电路电路的输出特性EC.并输出电流iE在恒定的输入电流IB.在公共集电路电路的操作中,如果基极电流为零,则发射极电流也变为零。结果,没有电流流过晶体管

如果基极电流增加,晶体管工作在有源区,最终达到饱和区。首先画出图形,我们保留IB在恒定值下,我们改变VEC.各个点的价值,现在我们需要录制i的价值E对于每个点。对不同的我重复相同的过程B值。现在使用这些值,我们需要在I的参数之间绘制图表E和V.CE在常数I处B.下图显示了公共收集器的输出特性。

8.公共收集器配置的输出特性

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常见的发射器配置

在这个配置中,我们使用发射极作为输入和输出的公共终端。这种常见的发射极配置是一个反相放大器电路。这里,输入应用于基极-发射极区域,输出应用于集电极和发射极终端之间。在这个配置中,输入参数是V和我B并且输出参数是vCE和我C

这种类型的配置主要用于基于晶体管的放大器的应用。在该配置中,发射极电流等于小基电流和大集电极电流的总和。即我E= I.C+ I.B.我们知道,在公共发射极配置中,集电极电流和发射极电流的比值给出了电流增益alpha,类似地,在公共发射极配置中,集电极电流和基极电流的比值给出了电流增益beta。

9.常见的发射器符号和连接

现在让我们看看这两个当前收益之间的关系。

当前增益(α)= iC/我E

当前增益(β)= iC/我B

收集器电流I.C我=αE=βi.B

此配置主要是所有三种配置中的一个。它具有中等输入和输出阻抗值。它还具有介质电流和电压增益。但输出信号具有1800即的相移,输入和输出彼此相反。

10.常见的发射极晶体管电路

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输入特性

在输入电流I之间获得了公共发射器配置的输入特性B和输入电压V恒定输出电压VCE.保持输出电压VCE输入电压V对于不同的点,现在记录每一点的输入电流值。现在用这些值,我们需要画出I值之间的图B和V.在恒定的V.CE.计算输入电阻R的公式在下面给出。

R= V./我B(当VCE处于恒定的)

11.共同发射极配置的输入特性

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输出特性

在输出电流I之间获得了公共发射器配置的输出特性C输出电压VCE输入电流I恒定B.保持基本电流iB恒定并改变输出电压V的值CE对于不同的点,现在记下收集器I的值C对于每个点。绘制参数I之间的图形C和V.CE为了得到共发射极配置的输出特性。从这张图计算输出电阻的公式如下所示。

R出去= V.CE/我C(当我B处于恒定的)

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晶体管摘要的配置

晶体管配置汇总表

上面给出了给出三种配置中晶体管的主要特性的表格。BJT晶体管主要具有三种类型的配置。它们是常见的发射器,公共基础和共用集成器配置。在所有这三种配置中,共用发射器配置大多使用类型。这三者具有对应于输入和输出信号的不同特性。而且这三种配置也有很少的相似之处。

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33回应

  1. 您能解释为什么当VBE作为输入电压时使用VIN的原因.VBE和VCB是输入和输出电压。为什么输出正在跨电阻?

    1. 我们使用电阻,也称为负载电阻,没有负载电阻,我们无法测量或指示发射极电流,因为当我们说电流时必须有一个负载,否则没有电流,输入电压Vin是为了理解目的而写的还写了VEB.

  2. 你能解释一下,当Vbe存在时,Vin作为输入电压的使用,以及为什么需要通过电阻进行输出?这个问题是关于公共基础配置电路。

  3. 我觉得更好地读到这一点。它给了我很多信息。我怀疑非反相放大器电路是什么意思?

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