二极管的类型|小信号,LED,肖特基,齐纳

在本教程中,我们将学习不同类型的二极管。欧宝官网app苹果下载ob直播app这些二极管包括小信号二极管、齐纳二极管、发光二极管、肖特基二极管、隧道二极管、雪崩二极管等。本文将简要介绍不同类型的具有基本功能的二极管及其电路符号。

介绍

二极管是电子元件用作单向阀,这意味着它允许电流在一个方向上流动。这些二极管由半导体材料锗,硅和硒制造。如果它允许电流允许电流允许,则二极管的操作可以分为两种方式,否则它是向前偏置的。

不同类型的二极管有不同的电压要求。硅二极管的正向电压为0.7v,锗二极管的正向电压为0.3v。在硅二极管中,暗带表示阴极端,另一端表示阳极。一般用二极管作反极性保护和瞬态保护。有许多类型的二极管,其中一些列出如下。

不同类型的二极管

现在让我们简要介绍几种常用类型的二极管。欧宝官网app苹果下载

1.小信号二极管

它是一种具有化特性的小型设备,其应用主要涉及高频和非常低的电流装置,如无线电和电视等,以保护二极管免受污染,它被玻璃包裹,所以它也被命名为玻璃钝化二极管这广泛地用作1N4148。

与电力二极管相比,信号二极管的外观非常小。表示阴极端子,一个边缘用黑色或红色标记。对于高频率的应用,小信号二极管的性能非常有效。

关于信号二极管的功能频率,电流和功率的承载能力非常低,其最大值几乎是150mA和500MW。

信号二极管是硅掺杂的半导体二极管或锗掺杂二极管,但根据掺杂材料的掺杂物的特性变化。在信号二极管中,硅掺杂二极管的特性大致与锗掺杂二极管相对。

硅信号二极管在耦合下具有约0.6至0.7伏的耦合下降,因此具有非常高的电阻但低的正向电阻。欧宝官网app苹果下载在其他手中,由于低电压降低,锗信号二极管具有低电阻,几乎为0.2至0.3伏,前正电性高。由于小信号,功能点在小信号二极管中不会中断。

2.大信号二极管

这些二极管具有大的PN结层。因此,AC转换为DC电压是无界的。这也增加了电流正向容量和反向阻塞电压。这些大信号也会破坏功能点。由此,它不适用于高频应用。

这些二极管的主要应用是逆变器等电池充电装置。在这些二极管中,正向电阻范围为欧姆,反向阻塞电阻处于兆欧姆欧姆。由于它具有高电流和电压性能,因此可以在用于抑制高峰电压的电气设备中使用。

3.齐纳二极管

它是一个被动元素在齐纳故障原理下工作。首先由克拉伦斯齐纳在1934年生产。它与正向方向类似,当施加电压达到击穿电压时,它还允许反向的电流。它旨在防止其他半导体器件瞬时电压脉冲。它充当电压调节器。

1.齐纳二极管符号

4.发光二极管(LED)

这些二极管将电能转换为光能。首先在1968年开始生产。它经历了电致发光过程,其中孔和电子重新组合以产生光的形式产生能量。

早期他们在电感灯中使用,但现在在最近的应用程序中,他们正在使用环境和任务处理。主要用于自动照明,交通信号,相机闪烁的应用。

2.发光二极管

5.恒流二极管

它也称为电流调节二极管或恒流二极管或电流限制二极管或二极管连接的晶体管。二极管的功能调节特定电流的电压。

它用作两个终端电流限制器。在此JFET中,充当电流限制器以实现高输出阻抗。恒定电流二极管符号如下所示。

3.恒流二极管6.肖特基二极管

在这种类型的二极管中,通过使半导体材料与金属接触来形成结。由于此,正向电压降降至min。半导体材料是N型硅,其用作阳极,金属用作其材料是铬,铂,钨等的阴极。

由于采用了金属结,这些二极管具有高的导电能力,从而减少了开关时间。因此,肖特基在开关应用中有更大的用途。主要是由于金属-半导体结的电压降较低,从而提高了二极管的性能,降低了功率损耗。这些都是用于高频整流器的应用。肖特基二极管的符号如下所示。

4.肖特基二极管

7.肖克利二极管

它是第一半导体器件的发明,它具有四层。它也称为PNPN二极管。它等于没有栅极端子的晶闸管,这意味着栅极端子断开连接。由于没有触发输入,二极管可以进行的唯一方式通过提供正向电压。

它一直开着它一直关着它一直关着它。二极管有导电和不导电两种工作状态。在不导电状态下,二极管导通的电压较小。

5. Shockley二极管或4层二极管

Shockley二极管的象征如下:

6. Shockley二极管

Shockley二极管应用
  • 触发SCR的开关。
  • 充当放松振荡器。

8.步骤恢复二极管

它也称为捕捉二极管或电荷存储二极管。这些是特殊类型的二极管,其存储来自正脉冲的电荷,并在正弦信号的负脉冲中使用。电流脉冲的上升时间等于捕捉时间。由于这种现象,它具有速度回收脉冲。

这些二极管的应用是更高阶乘法器和脉冲整形器电路。这些二极管的截止频率非常高,几乎处于Giga Hertz订单。

乘法器,该二极管的截止频率范围为200至300 GHz。在10 GHz范围内执行的操作中,这些二极管发挥着重要作用。较低级乘法器的效率很高。该二极管的符号如下所示。

7.步骤恢复二极管隧道二极管

它用作高速开关,订单纳米秒。由于隧道效果,它在微波频率区域具有非常快的操作。它是两个终端装置,其中掺杂剂的浓度太高。

瞬态响应受连接电容加杂散布线电容的限制。主要用于微波振荡器和放大器。它充当最负导电装置。隧道二极管可以机械和电气地调谐。隧道二极管的符号如下所示。

8.隧道二极管

隧道二极管应用
  1. 振荡电路。
  2. 微波电路。
  3. 抵抗核辐射。

10.变容二极管

这些也被称为静脉曲张二极管。它的作用就像可变电容器。操作主要是在反向偏压状态下进行的。这些二极管非常有名,因为它能够在恒压流存在的情况下改变电路内的电容范围。

它们能够改变高值的电容。通过改变反向偏置电压,在变容二极管二极管中,我们可以减小或增加耗尽层。这些二极管具有许多应用作为用于手机,卫星预滤波器等的电压控制振荡器等。在下面给出变容二极管二极管的符号。

9.变容二极管

变容二极管的应用
  1. 电压控制电容器。
  2. 压控振荡器。
  3. 参数放大器。
  4. 倍频器。
  5. 电视,电视机和蜂窝电话中的FM发射器和相位锁定环。

11.激光二极管

类似于p-n结形成有源区的LED。电性激光二极管是一种有源区位于本征区的p-i-n型二极管。用于光纤通讯,条形码阅读器,激光指针,CD/DVD/蓝光读取和记录,激光打印。

激光二极管类型:
  1. 双异质结构激光器:在该区域同时可用的自由电子和孔。
  2. 量子井激光器:具有多个量子阱的激光器称为多量子阱激光器。
  3. Quantum Cascade激光器:这些是异质结激光器,其使激光动作能够在相对长的波长下实现。
  4. 单独限制异质结构激光器:为了补偿量子激光器中的薄层问题,我们采用了单独的约束异质结构激光器。
  5. 分布式布拉格反射器激光器:它可以是边缘发射激光器或vcsels。

激光二极管的符号如图所示:

10.激光二极管

12.瞬态电压抑制二极管

在半导体器件中,由于状态的突然变化,电压会发生瞬态变化。它们将破坏设备的输出响应。为了克服这个问题,采用了电压抑制二极管。电压抑制二极管的工作原理类似于齐纳二极管的工作原理。

这些二极管的操作正常为P-n结二极管,但在瞬态电压时其操作变化。在正常情况下,二极管的阻抗高。当电路中发生任何瞬态电压时,二极管进入到提供低阻抗的雪崩击穿区域。

它自发地非常快,因为雪崩击穿持续时间在微微秒钟内范围。瞬态电压抑制二极管将钳位到固定电平的电压,主要是其钳位电压在最小范围内。

它们在电信、医疗、微处理器和信号处理等领域都有应用。它对过电压的响应速度比电阻器或气体放电管快。

瞬态电压抑制二极管的符号如下所示。

11.瞬态电压抑制二极管

二极管的特点是

  • 泄漏电流
  • 最大反向脱扣电压
  • 击穿电压
  • 夹紧电压
  • 寄生电容
  • 寄生电感
  • 它能吸收的能量

13.金掺杂二极管

在这些二极管中,金用作掺杂剂。这些二极管比其他二极管更快。在这些二极管中,反向偏置条件的漏电流也较少。即使在较高的电压降,它也允许二极管以信号频率运行。在这些二极管中,黄金有助于更快地重组少数型载体。

14.超级势垒二极管

它是具有低正向电压降的整流二极管,作为肖特基二极管,浪涌处理能力和低反向漏电流作为P-n结二极管。它专为大功率,快速开关和低损耗应用而设计。超级屏障整流器是具有比肖特基二极管低正向电压的下一代整流器。

15. Peltier二极管

在这种二极管中,在半导体的两种材料结处产生热量,热量从一个端流到另一个端。这种流动只在与电流流动方向相等的单一方向进行。

这种热量是由于少数载流子复合产生的电荷而产生的。这主要用于冷却和加热应用。这种类型的二极管用作传感器和热机用于热电冷却。

16.晶体二极管

这也被称为猫须,这是一种点接触二极管。它的工作取决于半导体晶体与点之间的接触压力。

在这种情况下,金属线被压在半导体晶体上。在这种情况下,半导体晶体充当阴极,金属丝充当阳极。这些二极管本质上是过时的。主要用于微波接收机和探测器。

水晶二极管应用
  1. 晶体二极管整流器
  2. 水晶二极管探测器
  3. 水晶无线电接收器

17.雪崩二极管

这是一种无源元件,是在雪崩击穿原理下工作的。它在反向偏压条件下工作。在反向偏置条件下,由于p-n结产生的电离作用,会产生大电流。

这些二极管经过特殊设计,在特定的反向电压下击穿,以防止损坏。雪崩二极管的符号如下:

12.雪崩二极管

雪崩二极管使用
  1. 射频噪声产生:它充当天线分析盒桥的RF的来源,也是白色噪声发生器。用于无线电设备以及硬件随机数发生器。
  2. 微波频率发电:在此,二极管充当负电阻装置。
  3. 单光子雪崩探测器:这些是光水平应用中使用的高增益光子探测器。

18.硅控制整流器

它由三个终端组成,它们是阳极,阴极和门。它几乎等于震惊二极管。当其名称表示当在电路中施加小电压时,它主要用于控制目的。硅控制整流器的符号如下所示:

13.硅控制整流器

操作模式:
  1. 正向阻塞模式(关闭状态):在此J1和J3前向偏置和J2是反向偏置的。它提供低于断层电压的高电阻,因此据说它是关闭状态。
  2. 正向导通模式(在状态下):通过增加阳极和阴极的电压,或者通过在栅极上施加正脉冲,我们可以打开。要关闭唯一的方法是减少流过它的电流。
  3. 反向阻断方式(关断状态):可控硅阻断反向电压称为不对称可控硅。主要用于电流源逆变器。

19.真空二极管

真空二极管由两个电极组成,其将作为阳极和阴极作用。阴极由钨组成,钨呈阳极方向发出电子。始终是电子流量将从阴极到阳极。所以,它就像一个开关一样。

如果阴极涂有氧化物材料,则电子发射能力高。阳极的尺寸有点长,在某些情况下,它们的表面粗糙,以降低二极管中产生的温度。二极管只在一种情况下导电,即阳极相对于阴极端为正极时。符号如下图所示:

14.真空二极管

20.PIN二极管

改进后的P-N结二极管给出了PIN二极管。在PIN二极管中,不需要掺杂。本征材料是指没有载流子的材料被插入到P区和N区之间,增加了耗散层的面积。

当我们施加向前偏置电压时,孔和电子将推入本征层。由于这种高喷射水平,电场也将通过本征材料进行电气。该领域使载体从两个区域流动。PIN二极管的符号如下所示:

15.引脚二极管

PIN二极管的应用:
  1. RF开关:引脚二极管用于信号和组件选择。例如,引脚二极管充当低相位噪声振荡器中的范围开关电感器。
  2. 衰减器:它用作桥梁衰减器中的桥梁和分流电阻。
  3. 照片探测器:它可以探测x射线和伽马射线光子。

21.点联系设备

金线或钨丝被用来作为点触点,通过高电流通过PN结区域。如图所示,在连接到金属板上的导线的边缘产生了一个小区域的PN结。

16.点联系设备

在向前方向,其操作非常相似,但在反向偏压状态下,电线就像绝缘体一样。由于该绝缘体在板之间,二极管用作电容器。通常,当AC电流在高频率的电路中流动时,电容器阻止DC电流。因此,这些用于检测高频信号。

22. Gunn二极管

Gunn二极管仅由N型半导体材料制造。两种N型材料的耗尽区非常薄。当电路中的电压增加时,电流也增加。经过一定水平的电压,电流将指数下降,因此这表现出负差分电阻。

它有两个电极与砷化镓和磷化铟,由于这些它有负的微分电阻。它也被称为转移电子器件。它产生微波射频信号,因此主要用于微波射频器件中。它也可以用作放大器。Gunn二极管的符号如下所示:

17. Gunn二极管前置二极管特性

下一个-信号二极管教程

32回应

  1. 对于摩托车上的正常光线。我会使用哪些二极管?如果您需要更多信息,请询问。和谢谢。

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